
Dem GaC-baséiert monolithesche integréierte Léisunge vum EPC bidden Power System Designers d'Fähegkeet d'Effizienz ze erhéijen wärend e klenge Foussofdrock.
Den EPC2112 ass en 200 V, 40 mΩ eGaN FET plus integréiert Gate Driver.
Den EPC2115 ass en integréierte Circuit mat Dual 150 V, 70 mΩ eGaN FETs plus Gate Driver.
| Eegeschaften | ||
|
|
|
| Uwendungen |
||
|
|
E-Mail: Info@ariat-tech.comHK TEL: +852 30501966Adress: Rm 2703 27F Ho King Comm Center 2-16,
Fa Yuen St MongKok Kowloon, Hong Kong.