| NTZD5110NT1G | |
|---|---|
| Part Number | NTZD5110NT1G |
| Hiersteller | AMI Semiconductor / ON Semiconductor |
| Beschreiwung | MOSFET 2N-CH 60V 0.294A SOT563 |
| Quantitéit Verfügbar | 22000 pcs new original in stock. Ufro Stock & Devis |
| Ecadmodell | |
| Dateblieder | NTZD5110NT1G.pdf |
| NTZD5110NT1G Price |
Ufro Präis & Lead Time Online or Email us: Info@ariat-tech.com |
| Technesch Informatioun vun NTZD5110NT1G | |||
|---|---|---|---|
| Hiersteller Part Zuel | NTZD5110NT1G | Kategorie | Diskrete Semiconductor Products |
| Hiersteller | AMI Semiconductor / ON Semiconductor | Beschreiwung | MOSFET 2N-CH 60V 0.294A SOT563 |
| Package / Fall | SOT-563 | Quantitéit Verfügbar | 22000 pcs |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 2.5V @ 250µA | Supplier Device Package | SOT-563 |
| Serie | - | Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1.6 Ohm @ 500mA, 10V |
| Power - Max | 250mW | Verpakung | Tape & Reel (TR) |
| Package / Case | SOT-563, SOT-666 | Aner Names | NTZD5110NT1G-ND NTZD5110NT1GOSTR |
| Operatioun Temperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) | Mounting Type | Surface Mount |
| Feuchtigkeit Sensibilitéitniveau (MSL) | 1 (Unlimited) | Fabrik Standard Lead Time | 45 Weeks |
| Bleif Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant | Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 24.5pF @ 20V |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 0.7nC @ 4.5V | FET Typ | 2 N-Channel (Dual) |
| FET Feature | Logic Level Gate | Entworf fir Source Voltage (Vdss) | 60V |
| Detailbeschreiwung | Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 60V 294mA 250mW Surface Mount SOT-563 | Aktuell - Kontinuéierter Drain (Id) @ 25 ° C | 294mA |
| Basiszuel Nummer | NTZD5110N | ||
| Download | NTZD5110NT1G PDF - EN.pdf | ||
Emailt eis: Info@Ariat-Tech.com oder RFQ NTZD5110NT1G Online.
| NTZD5110NT1G Stock | NTZD5110NT1G Präis | NTZD5110NT1G Elektronik | |||
| NTZD5110NT1G Komponenten | NTZD5110NT1G Stamminventar | NTZD5110NT1G Digikey | |||
| Liwwerant NTZD5110NT1G | NTZD5110NT1G Online bestellen | Ufro NTZD5110NT1G | |||
| NTZD5110NT1G Bild | NTZD5110NT1G Bild | NTZD5110NT1G PDF | |||
| NTZD5110NT1G Dateblatt | Luet NTZD5110NT1G Dateblatt | Fabrikant beschwéiert | |||
| Verbonnen Deeler fir NTZD5110NT1G | |||||
|---|---|---|---|---|---|
| Bild | Part Number | Beschreiwung | Hiersteller | Kritt en Zitat | |
 |
NTZD3158PT1G | MOSFET 2P-CH 20V 0.43A SOT563 | AMI Semiconductor / ON Semiconductor | ||
|
NTZD3155CT2G | MOSFET N/P-CH 20V SOT-563 | AMI Semiconductor / ON Semiconductor | ||
|
NTZD3156CT2G | MOSFET N/P-CH 20V SOT-563 | AMI Semiconductor / ON Semiconductor | ||
|
NTZD3156CT5G | MOSFET N/P-CH 20V SOT-563 | AMI Semiconductor / ON Semiconductor | ||
|
NTZS3151PT1H | MOSFET P-CH 20V 0.86A SOT563 | AMI Semiconductor / ON Semiconductor | ||
 |
NTZD3155CT5G MOS | VBSEMI SOT-563 | VBSEMI | ||
|
NTZD3155CT1G | MOSFET N/P-CH 20V SOT-563 | AMI Semiconductor / ON Semiconductor | ||
|
NTZD3156CT1G | MOSFET N/P-CH 20V SOT-563 | AMI Semiconductor / ON Semiconductor | ||
|
NTZS3151PT5G | MOSFET P-CH 20V 0.86A SOT-563 | AMI Semiconductor / ON Semiconductor | ||
|
NTZD5110NT5G | MOSFET 2N-CH 60V 0.294A SOT563 | AMI Semiconductor / ON Semiconductor | ||
|
NTZS3151P | ON SOT-563 | ON | ||
|
NTZS3151PT1G IC | ON SOT563 | ON | ||
|
NTZD5110NT1G MOS | ON SC70-6 | ON | ||
|
NTZD3155C | ON SOT-563 | ON | ||
|
NTZD3155CT5G IC | ON SOT563 | ON | ||
|
NTZD3155CT1G IC | MSV SOT-563 | MSV | ||
|
NTZD3155CT1H | MOSFET N/P-CH 20V SOT563 | AMI Semiconductor / ON Semiconductor | ||
|
NTZD3155CT5G | MOSFET N/P-CH 20V SOT-563 | AMI Semiconductor / ON Semiconductor | ||
|
NTZD3155CT1G MOS | ON SOT-563 | ON | ||
|
NTZS3151PT1G | MOSFET P-CH 20V 0.86A SOT-563 | AMI Semiconductor / ON Semiconductor | ||
News
Méi
Wéi d'Technologie Forutagen an d'Informatioun Spadséiergäng dech, opzeginn, opzeginn, ass eng effektiv an zouverléisseg Dinäden Method wat gräif...
Et huet de 16. Abrëll de 16. Abrëll zu dem "globesche Semiconductorator Equipementmaart" viru kuerzem an der Semikanderorganisatiounsprämpfungsprei...
Déi schwwinesch Unioun wann de Metalls den 10 19 August annoncéiert, datt de Schalt vun Tesla Mangelière ass, ass ee vun de leschte Deegstuerg vun ...
Kuerzem, grousse Späicher Hiersteller wéi Mikron, Samsung, a westlech Digital hunn de Präis opgehuewe ginn.Industrie Inders weisen datt Dir vum éi...
An der Loft, déi normal Volumen Fraktioun vum Sauerstoffinhalt ass ongeféier 20,9%, awer wann de Sauerstoffinhalt ënner dësem Wäert féiert. Et f...
Nei Produkter
Méi
PD30 Serie Photoelektresch Sensor D'Miniature photoelektresch Sensoren vum Carlo Gavazzi sinn héich...
XC112 / XR112 Bewäertung Kit fir den A111 gepulste kohärente Radar Acconeer's XC112 an XR112 Bewä...
MINAS A6 Serie Servo Féiert a Motoren D'PANasonic hir MINAS A6 Famill assuréiert stabil Operatioun...
UV LED Driver Board RayVio's UV LED Treiberbrett fir XE an XP1 Serie vun UV-C Emitter Dem RayVio s...
Industriell an verlängert Test DDR SDRAM Insignis 'DDR SDRAM Geräter garantéieren Operatioun bei ...
Email: Info@ariat-tech.comHK TEL: +00 852-30501966OPGEPASST: Rm 2703 27F Ho King Comm Center 2-16,
Fa Yuen St MongKok Kowloon, Hong Kong.
Copyright Notiz © 1996-2024 ARIAT TECHNOLOGY LIMITED.All Rechter reservéiert.