| BYG10D-E3/TR3 | |
|---|---|
| Part Number | BYG10D-E3/TR3 |
| Hiersteller | Vishay General Semiconductor - Diodes Division |
| Beschreiwung | DIODE AVAL 200V 1.5A DO214AC |
| Quantitéit Verfügbar | 56200 pcs new original in stock. Ufro Stock & Devis |
| Ecadmodell | |
| Dateblieder | 1.BYG10D-E3/TR3.pdf2.BYG10D-E3/TR3.pdf |
| BYG10D-E3/TR3 Price |
Ufro Präis & Lead Time Online or Email us: Info@ariat-tech.com |
| Technesch Informatioun vun BYG10D-E3/TR3 | |||
|---|---|---|---|
| Hiersteller Part Zuel | BYG10D-E3/TR3 | Kategorie | Connectoren, Interconnects |
| Hiersteller | Vishay General Semiconductor – Diodes Division | Beschreiwung | DIODE AVAL 200V 1.5A DO214AC |
| Package / Fall | DO-214AC (SMA) | Quantitéit Verfügbar | 56200 pcs |
| Voltage - Viru (Vf) (Max) @ Wann | 1.15 V @ 1.5 A | Voltage - DC Reverse (Vr) (Max) | 200 V |
| Technologie | Avalanche | Supplier Device Package | DO-214AC (SMA) |
| Speed | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) | Serie | - |
| Reverse Recovery Time (trr) | 4 µs | Package / Case | DO-214AC, SMA |
| Package protegéieren | Tape & Reel (TR) | Operatiounstemperatur - Junction | -55°C ~ 150°C |
| Mounting Type | Surface Mount | Aktuell - Reverse Leakage @ Vr | 1 µA @ 200 V |
| Aktuell - duerchschnëttlech rektifizéiert (Io) | 1.5A | Capacitance @ Vr, F. | - |
| Basis Produktnummer | BYG10 | ||
| Download | BYG10D-E3/TR3 PDF - EN.pdf | ||
Emailt eis: Info@Ariat-Tech.com oder RFQ BYG10D-E3/TR3 Online.
| BYG10D-E3/TR3 Stock | BYG10D-E3/TR3 Präis | BYG10D-E3/TR3 Elektronik |
| BYG10D-E3/TR3 Komponenten | BYG10D-E3/TR3 Stamminventar | BYG10D-E3/TR3 Digikey |
| Liwwerant BYG10D-E3/TR3 | BYG10D-E3/TR3 Online bestellen | Ufro BYG10D-E3/TR3 |
| BYG10D-E3/TR3 Bild | BYG10D-E3/TR3 Bild | BYG10D-E3/TR3 PDF |
| BYG10D-E3/TR3 Dateblatt | Luet BYG10D-E3/TR3 Dateblatt | Fabrikant beschwéiert Vishay General Semiconductor – Diodes Division |
