| SI1489EDH-T1-GE3 | |
|---|---|
| Part Number | SI1489EDH-T1-GE3 |
| Hiersteller | Vishay Siliconix |
| Beschreiwung | MOSFET P-CH 8V 2A SOT-363 |
| Quantitéit Verfügbar | 42000 pcs new original in stock. Ufro Stock & Devis |
| Ecadmodell | |
| Dateblieder | 1.SI1489EDH-T1-GE3.pdf2.SI1489EDH-T1-GE3.pdf3.SI1489EDH-T1-GE3.pdf |
| SI1489EDH-T1-GE3 Price |
Ufro Präis & Lead Time Online or Email us: Info@ariat-tech.com |
| Technesch Informatioun vun SI1489EDH-T1-GE3 | |||
|---|---|---|---|
| Hiersteller Part Zuel | SI1489EDH-T1-GE3 | Kategorie | |
| Hiersteller | Vishay / Siliconix | Beschreiwung | MOSFET P-CH 8V 2A SOT-363 |
| Package / Fall | SC-70-6 | Quantitéit Verfügbar | 42000 pcs |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 700mV @ 250µA | Vgs (Max) | ±5V |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) | Supplier Device Package | SC-70-6 |
| Serie | TrenchFET® | Rds On (Max) @ Id, Vgs | 48mOhm @ 3A, 4.5V |
| Power Dissipation (Max) | 2.8W (Tc) | Package / Case | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 |
| Package protegéieren | Tape & Reel (TR) | Operatioun Temperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Mounting Type | Surface Mount | Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 16 nC @ 4.5 V |
| FET Typ | P-Channel | FET Feature | - |
| Fuert Volt (Max Rds On, Min Rds On) | 1.2V, 4.5V | Entworf fir Source Voltage (Vdss) | 8 V |
| Aktuell - Kontinuéierter Drain (Id) @ 25 ° C | 2A (Tc) | Basis Produktnummer | SI1489 |
| Download | SI1489EDH-T1-GE3 PDF - EN.pdf | ||
Emailt eis: Info@Ariat-Tech.com oder RFQ SI1489EDH-T1-GE3 Online.
| SI1489EDH-T1-GE3 Stock | SI1489EDH-T1-GE3 Präis | SI1489EDH-T1-GE3 Elektronik | |||
| SI1489EDH-T1-GE3 Komponenten | SI1489EDH-T1-GE3 Stamminventar | SI1489EDH-T1-GE3 Digikey | |||
| Liwwerant SI1489EDH-T1-GE3 | SI1489EDH-T1-GE3 Online bestellen | Ufro SI1489EDH-T1-GE3 | |||
| SI1489EDH-T1-GE3 Bild | SI1489EDH-T1-GE3 Bild | SI1489EDH-T1-GE3 PDF | |||
| SI1489EDH-T1-GE3 Dateblatt | Luet SI1489EDH-T1-GE3 Dateblatt | Fabrikant beschwéiert Vishay / Siliconix | |||
| Verbonnen Deeler fir SI1489EDH-T1-GE3 | |||||
|---|---|---|---|---|---|
| Bild | Part Number | Beschreiwung | Hiersteller | Kritt en Zitat | |
 |
SI1480DH-T1-GE3 | MOSFET N-CH 100V 2.6A SOT-363 | Electro-Films (EFI) / Vishay | ||
 |
SI1473DH-T1-GE3 MOS | VBSEMI SC88 | VBSEMI | ||
|
SI1499DH-T1-GE3 | MOSFET P-CH 8V 1.6A SC-70-6 | Electro-Films (EFI) / Vishay | ||
 |
SI1500 500G BTL | SCOTCH-WELD SURFACE INSENSITIVE | 3M | ||
 |
SI1489EDH-T1-GE3 MOS | VISHAY SC70-6 | VISHAY | ||
 |
SI1488DH-T1-E3 | MOSFET N-CH 20V 6.1A SC70-6 | Vishay Siliconix | ||
|
SI1480DH-T1-GE3 | MOSFET N-CH 100V 2.6A SC70-6 | Vishay Siliconix | ||
|
SI1499DH | VISHAY | |||
|
SI1488DH-T1-GE3 | MOSFET N-CH 20V 6.1A SC70-6 | Vishay Siliconix | ||
|
SI1473DH-T1-GE3 | MOSFET P-CH 30V 2.7A SC70-6 | Vishay Siliconix | ||
|
SI1499DH-T1-GE3 | MOSFET P-CH 8V 1.6A SC70-6 | Vishay Siliconix | ||
|
SI1480DH-T1-BE3 | MOSFET N-CH 100V 2.1A/2.6A SC70 | Vishay Siliconix | ||
|
SI1489EDH-T1-GE3 | MOSFET P-CH 8V 2A SOT-363 | Electro-Films (EFI) / Vishay | ||
|
SI1488DH-T1-GE3 | MOSFET N-CH 20V 6.1A SC70-6 | Electro-Films (EFI) / Vishay | ||
|
SI1499DH-T1-E3 | MOSFET P-CH 8V 1.6A SC70-6 | Electro-Films (EFI) / Vishay | ||
|
SI1488DH-T1-E3 | MOSFET N-CH 20V 6.1A SC70-6 | Electro-Films (EFI) / Vishay | ||
|
SI1499DH-T1-BE3 | MOSFET P-CH 8V 1.6A/1.6A SC70-6 | Vishay Siliconix | ||
|
SI1480BDH-T1-GE3 | N-CHNNEL 100-V (D-S) MOSFET SC70 | Vishay Siliconix | ||
|
SI1499DH-T1-E3 | MOSFET P-CH 8V 1.6A SC70-6 | Vishay Siliconix | ||
|
SI1499DH-T1-GE3 MOS | VBSEMI SC70 | VBSEMI | ||
News
Méi
Microchip's Polarfire®-FRGA huet AEC-Q100 Zertifizéierung kritt, bestätegt seng Zouverlässegung ënner der Operatioun vun 205 ° C bis 125 ° C bi...
De PSOCM 4000t ass den éischte Produkt vum Infinon ass d'Fro vun der Fënneftel vun der Firma vun der Firma vun der Firma vun der Firma ze Feature ™...
En Auto Deeler Fournisseur Executive huet opgedeckt datt d'Ev Entwécklung am Norden amerikanesche Maart huet, huet als Authers gewielt fir d'Liewensd...
Infinon an Iessen ginn hir AI Battery Gestiounsystem (BMS) Zesummenaarbecht an Industrie an dem Konsumenter Elektronik.No der Regalung vun Infineon's ...
Am HEIMOCTENTET viru sengem éischte Hänn bis indirekt Zäit-Russ) Sensor, déi Hyperalx ID Serie eng Hyperimualiséierung an dräi-Präzisiounsmiess...
Nei Produkter
Méi
PD30 Serie Photoelektresch Sensor D'Miniature photoelektresch Sensoren vum Carlo Gavazzi sinn héich...
XC112 / XR112 Bewäertung Kit fir den A111 gepulste kohärente RadarAcconeer's XC112 an XR112 Bewäertung Kit mat flaache flexiblen Kabelen an Ënners...
MINAS A6 Serie Servo Féiert a Motoren D'PANasonic hir MINAS A6 Famill assuréiert stabil Operatioun...
UV LED Driver Board RayVio's UV LED Treiberbrett fir XE an XP1 Serie vun UV-C Emitter Dem RayVio s...
Industriell an verlängert Test DDR SDRAM Insignis 'DDR SDRAM Geräter garantéieren Operatioun bei ...
Email: Info@ariat-tech.comHK TEL: +00 852-30501966OPGEPASST: Rm 2703 27F Ho King Comm Center 2-16,
Fa Yuen St MongKok Kowloon, Hong Kong.
Copyright Notiz © 1996-2025 ARIAT TECHNOLOGY LIMITED.All Rechter reservéiert.